Транзистор IKW50N60T Оригінал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247
185 ₴
164,65 ₴
- Готово до відправки
- Код: 526
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
- +380 (73) 642-60-24Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор IKW50N60T K50T60
Загальні параметри:
- Виробники / Бренд: Infineon Technologies
- Технологічна база: Trenchstop and Fieldstop Technology (Low Loss DuoPack)
- Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT) та вбудованим надшвидким антипаралельним діодом
- Виконання корпусу: TO-247 (PG-TO247-3)
Електричні параметри (Гранично допустимі значення):
- Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В
- Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
- Постійний струм колектора Ic при 25°C: 80 А
- Постійний струм колектора Ic при 100°C: 50 А
- Піковий імпульсний струм колектора Icm: 150 А
- Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 333 Вт
Статичні та динамічні характеристики транзистора:
- Напруга насичення колектор-емітер Vce(sat) типова: 1.5 В
- Напруга насичення колектор-емітер Vce(sat) max: 2.0 В
- Порогова напруга ввімкнення затвора Vge(th): 4.1...5.7 В
- Повний заряд затвора Qg: 310 нКл
- Вхідна ємність Ciss: 3140 пФ
- Вихідна ємність Coss: 200 пФ
- Час наростання струму типовий tr: 29 нс
- Час спаду струму типовий tf: 299 нс
Параметри вбудованого захисного діода:
- Типова пряма напруга діода Vf: 1.5 В
- Максимальний постійний прямий струм діода If: 100 А (при 25°C) та 50 А (при 100°C)
- Максимальний імпульсний струм діода Ifm: 150 А
Теплові параметри та експлуатація:
- Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C
- Тепловий опір перехід–корпус Rthjc (IGBT): 0.45 °C/Вт
- Тепловий опір перехід–корпус Rthjc (Діод): 0.8 °C/Вт
- Стійкість до короткого замикання: до 5 мкс (при Vge = 15 В, Vcc ≤ 400 В)
Область застосування та використання:
- Основне призначення: Високопотужний комутаційний силова ключ для частотних перетворювачів та високовольтних систем з низькими втратами енергії.
- Сумісні пристрої: Зварювальні инвертори (MMA/TIG/MIG), потужні джерела безперебійного живлення (ДБЖ/UPS), індукційні плити та нагрівачі, частотні перетворювачі для керування електродвигунами.
- Системи керування: Потужні мостові та напівмостові високочастотні схеми, системи жорсткого перемикання (Hard Switching), коректори коефіцієнта потужності (PFC).
|
|
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Країна виробник | Китай |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість в упаковці | 1 шт. |
| КОРПУС | TO-247 |
| Максимальна напруга | 600 |
| Максимальний струм | 100A |
| Максимальна напруга+ | 600V |
| Тип транзизора | IGBT |
Специфікація
Інформація для замовлення
- Ціна: 164,65 ₴









