Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
впередназад
Транзистор IKW50N60T Оригінал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247, фото 2
Транзистор IKW50N60T Оригінал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247, фото 3
Транзистор IKW50N60T Оригінал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247, фото 4
Транзистор IKW50N60T Оригінал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247, фото 5
Транзистор IKW50N60T Оригінал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247, фото 6
Транзистор IKW50N60T Оригінал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247, фото 7

Транзистор IKW50N60T Оригінал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247

185 ₴

164,65 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 526
Транзистор IKW50N60T Оригінал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247
Транзистор IKW50N60T Оригінал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247Готово до відправки
185 ₴164,65 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

IGBT-транзистор IKW50N60T K50T60

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: Infineon Technologies
  • Технологічна база: Trenchstop and Fieldstop Technology (Low Loss DuoPack)
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT) та вбудованим надшвидким антипаралельним діодом
  • Виконання корпусу: TO-247 (PG-TO247-3)

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В
  • Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
  • Постійний струм колектора Ic при 25°C: 80 А
  • Постійний струм колектора Ic при 100°C: 50 А
  • Піковий імпульсний струм колектора Icm: 150 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 333 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Напруга насичення колектор-емітер Vce(sat) типова: 1.5 В
  • Напруга насичення колектор-емітер Vce(sat) max: 2.0 В
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vge(th): 4.1...5.7 В
  • Повний заряд затвора Qg: 310 нКл
  • Вхідна ємність Ciss: 3140 пФ
  • Вихідна ємність Coss: 200 пФ
  • Час наростання струму типовий tr: 29 нс
  • Час спаду струму типовий tf: 299 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Типова пряма напруга діода Vf: 1.5 В
  • Максимальний постійний прямий струм діода If: 100 А (при 25°C) та 50 А (при 100°C)
  • Максимальний імпульсний струм діода Ifm: 150 А

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус Rthjc (IGBT): 0.45 °C/Вт
  • Тепловий опір перехід–корпус Rthjc (Діод): 0.8 °C/Вт
  • Стійкість до короткого замикання: до 5 мкс (при Vge = 15 В, Vcc ≤ 400 В)

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Високопотужний комутаційний силова ключ для частотних перетворювачів та високовольтних систем з низькими втратами енергії.
  • Сумісні пристрої: Зварювальні инвертори (MMA/TIG/MIG), потужні джерела безперебійного живлення (ДБЖ/UPS), індукційні плити та нагрівачі, частотні перетворювачі для керування електродвигунами.
  • Системи керування: Потужні мостові та напівмостові високочастотні схеми, системи жорсткого перемикання (Hard Switching), коректори коефіцієнта потужності (PFC).

 

IKW50N60T  Datasheet завантажити

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга600
Максимальний струм100A
Максимальна напруга+600V
Тип транзизораIGBT
Специфікація
Інформація для замовлення
  • Ціна: 164,65 ₴