MOSFET-транзистор CS50N20

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Huajing Microelectronics (CR Micro)
• Технологічна база: Planar VDMOS Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 200 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 50 А
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 31.5 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 200 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 250 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 0.042 Ом
• Максимальний опір стоку Rds(on) max: 0.051 Ом
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: 49.4 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 2819 пФ
• Вихідна ємність Coss: 358 пФ
• Час затримки вимкнення td(off): 62 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vsd: 1.4 В
• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 50 А
• Час зворотного відновлення діода trr: 162 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 0.5 °C/Вт
• Контроль надійності: 100% Avalanche Tested від виробника (EAS = 1700 мДж)

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Потужний високошвидкісний комутаційний ключ для низьковольтних та середньовольтних систем перетворення енергії.
• Сумісні пристрої: Зварювальні інвертори, автомобільні підсилювачі звуку, потужні джерела безперебійного живлення (ДБЖ/UPS), DC/DC перетворювачі та інвертори сонячних батарей.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні перетворювачі напруги, синхронні випрямлячі, мостові (H-bridge) та напівмостові схеми керування електродвигунами

CS50N20 Datasheet завантажити