Драйвер IR2113S SOIC-16

Технічні характеристики мікросхеми IR2113S

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier
• Функціональне призначення: Високовольтний, високошвидкісний драйвер МОНП (MOSFET) та БТШЗ (IGBT) транзисторів із незалежними каналами керування верхнім та нижнім плечем
• Технологічна база: HVIC (High Voltage Integrated Circuit) стійка до засувок технологія
• Виконання корпусу: SOIC-16 (також маркується як SOIC-16W / широкопрофільний поверхневий монтаж)

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга плаваючого каналу верхнього плеча Vb: 625 В
• Напруга зміщення плаваючого каналу верхнього плеча Vs: від Vb-25 В до Vb+0.3 В
• Діапазон напруги живлення низьковольтної логічної частини Vcc: від -0.3 В до 25 В
• Діапазон напруги живлення цифрової логіки Vdd: від -0.3 В до Vcc+0.3 В
• Максимальний вихідний піковий струм Io+ / Io-: +2.0 А (струм ввімкнення) / -2.0 А (струм вимкнення)

Експлуатаційні та динамічні характеристики:

• Рекомендована напруга зміщення плаваючого каналу верхнього плеча Vs: до 600 В
• Рекомендований діапазон живлення затворів Vcc: від 10 В до 20 В
• Рекомендований діапазон вхідної логіки Vdd: від 3.3 В до 20 В (сумісність із CMOS, LSTTL та мікроконтролерами)
• Типовий час затримки ввімкнення ton: 120 нс
• Типовий час затримки вимкнення toff: 94 нс
• Максимальна розбіжність часу затримки між каналами MT: 10 нс
• Типовий час наростання вихідного імпульсу tr: 25 нс при ємності навантаження 1000 пФ
• Типовий час спаду вихідного імпульсу tf: 17 нс при ємності навантаження 1000 пФ

Захисні та логічні функції:

• Блокування при зниженні напруги UVLO: Вбудований незалежний захист від недостатньої напруги живлення (Under-Voltage Lockout) для каналів верхнього та нижнього плеча
• Вхід вимкнення SD: Наявність окремого цифрового виводу Shutdown для миттєвого блокування обох виходів
• Логіка синхронізації: Входи керування верхнім (HIN) та нижнім (LIN) плечем працюють у фазі з виходами (HO та LO)

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура навколишнього середовища Та: від -40 °C до +125 °C
• Допустима температура кристала Tj: до +150 °C
• Тепловий опір перехід–навколишнє середовище Rthja: 100 °C/Вт

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Драйвер керування затворами потужних N-канальних польових транзисторів та IGBT-модулів у мостових (Full-Bridge) та напівмостових (Half-Bridge) топологіях силових перетворювачів.
• Сумісні пристрої: Інвертори зварювальних апаратів, автомобільні перетворювачі напруги, джерела безперебійного живлення (ДБЖ / UPS) та сонячні інвертори.
• Системи керування: Частотно-регульовані приводи (VFD), ШІМ-контролери безколекторних двигунів (BLDC), імпульсні блоки живлення (SMPS) високої потужності та медичне силове обладнання.