|
Технічні характеристики MOSFET-транзистора MS5N100FT
Загальні параметри:
- Виробники / Бренд: Maspower
- Технологічна база: Advanced High Voltage Power MOSFET
- Структура транзистора: Потужний високовольтний польовий N-канальний MOSFET
- Виконання корпусу: TO-220 у документації також вказується як TO-220-3
Електричні параметри Гранично допустимі значення:
- Максимальна напруга стік-витік Vdss: 1000 В
- Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±30 В
- Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C номінальний: 5 А
- Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 3 А
- Піковий імпульсний струм стоку Idm: 20 А
- Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 68 Вт (в окремих ревізіях корпусних тестів до 198 Вт)
Статичні та динамічні характеристики транзистора:
- Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 3.5 Ом при напрузі затвора 10 В та струмі 2.5 А
- Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 4.2 Ом
- Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.25...3.75 В (загальний діапазон до 4.5 В)
- Повний заряд затвора Qg: ~42 нКл при напрузі затвора 10 В
- Вхідна ємність Ciss: ~1250 пФ
- Вихідна ємність Coss: ~106 пФ
Параметри вбудованого захисного діода:
- Типова пряма напруга діода Vf: 1.00 В при прямому струмі 5 А
- Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.50 В
- Максимальний прямий струм діода If: 5 А
Теплові параметри та експлуатація:
- Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C (окремі високотемпературні серії до +175 °C)
- Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: ~0.63...0.86 °C/Вт (для ізольованих версій до 4.2 °C/Вт)
|
