Транзистор SVG086R0NT Оригінал!!! 120A, 80V, MOSFET, корпус TO-220 086R0NT

Загальні параметри SVG086R0NT 

• Виробники / Бренд: Silan Microelectronics
• Технологічна база: LVMOS Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220 у технічній документації також маркується як TO-220-3L

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 80 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 120 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 76 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 480 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 156 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 5.0 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 50 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 6.0 мОм
• Повний заряд затвора Qg: ~66 нКл при напрузі затвора 10 В
• Заряд затвор-стік Qgd: ~17 нКл
• Одиночна лавинна енергія Eas: 306 мДж

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.40 В при прямому струмі 50 А
• Час зворотного відновлення trr: ~47 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 120 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.80 °C/Вт

SVG086R0NT  Datasheet завантажити