Транзистор HY3208P Оригінал!!! 120A, 80V, MOSFET, корпус TO-220

Технічні характеристики MOSFET-транзистора HY3208P

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Hooyi Semiconductor / Huayi Microelectronics
• Технологічна база: Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 80 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 140 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 90 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 480 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 230 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 6.5 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 70 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 8.0 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~113 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~5125 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~19 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~70 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 0.88 В при прямому струмі 75 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.30 В
• Час зворотного відновлення trr: ~58 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 140 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.65 °C/Вт

HY3208P Datasheet завантажити