Транзистор HYG025N06LS1P Оригінал!!! 190A 60V MOSFET TO-220 G025N06

Технічні характеристики MOSFET-транзистора HYG025N06LS1P

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Huayi Microelectronics
• Технологічна база: Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220 у технічній документації також маркується як TO-220FB-3L

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 60 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 175 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 120 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 660 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 187 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 2.1 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 75 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 2.5 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 1.0...2.5 В
• Повний заряд затвора Qg: ~102 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~5540 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~18 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~74 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 0.85 В при прямому струмі 75 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.30 В
• Час зворотного відновлення trr: ~58 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 175 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.80 °C/Вт

HYG025N06LS1P Datasheet завантажити