Транзистор IRFB4115PBF Оригінал!!! 104A, 150V, MOSFET TO-220

IRFB4115PBF - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220.

Технічні характеристики MOSFET-транзистора IRFB4115PBF

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier
• Технологічна база: HEXFET Power MOSFET
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 150 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 104 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 74 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 420 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 380 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 9.3 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 62 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 11.0 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 3.0...5.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~77 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~5170 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~18 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~43 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.30 В при прямому струмі 62 А
• Час зворотного відновлення trr: ~81 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 104 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.40 °C/Вт

IRFB4115PBF Datasheet завантажити