Транзистор TK100E08N1 Оригінал!!! 100A, 80V, MOSFET корпус TO-220

Технічні характеристики MOSFET-транзистора TK100E08N1

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Toshiba
• Технологічна база: U-MOSVIII Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 80 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C номінальний: 100 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 300 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 190 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 2.6 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 50 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 3.1 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~105 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~7700 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~20 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~58 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 0.88 В при прямому струмі 100 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.20 В
• Час зворотного відновлення trr: ~62 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 100 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.79 °C/Вт

TK100E08N1   Datasheet завантажити