Транзистор HYG042N10NS1P Оригінал!!! 160A, 100V, MOSFET, корпус TO-220

HYG042N10NS1P (на корпусі часто маркується скорочено як G042N10) — це високотехнологічний та надпотужний кремнієвий польовий N-канальний MOSFET-транзистор від компанії Huayi Microelectronics. Завдяки застосуванню фірмових технологій він має наднизький опір у відкритому стані (всього 3.5 мОм), що мінімізує виділення тепла та робить його ідеальним для потужних плат захисту BMS електросамокатів, електровелосипедів, контролерів моторів, інверторів та сучасних синхронних випрямлячів.

Технічні характеристики MOSFET-транзистора HYG042N10NS1P

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Huayi Microelectronics
• Технологічна база: Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220 у технічній документації також маркується як TO-220FB-3L 

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 100 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 160 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 113 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: ~560-640 А залежно від тривалості імпульсу на кристалі
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 200 Вт 

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 3.5 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 50 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 4.2 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~119 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~2506 пФ при напрузі 25 В
• Час затримки ввімкнення tdon: ~18-25 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~65-85 нс 

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 0.85 В при прямому струмі 50 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.30 В
• Час зворотного відновлення trr: ~75-95 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 160 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: ~0.75 °C/Вт 

HYG042N10NS1P Datasheet завантажити