Модель CMH20N50 — це потужний кремнієвий високовольтний польовий N-канальний MOSFET-транзистор від компанії Cmos. Завдяки підвищеній стійкості до високих енергій імпульсів у лавинному режимі (Avalanche Mode) та мінімізованому опору відкритого каналу, він масово використовується в джерелах безперебійного живлення (UPS), DC/DC перетворювачах, підсилювачах потужності та активних схемах корекції коефіцієнта потужності (PFC).

Технічні характеристики MOSFET-транзистора CMH20N50 

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Cmos
• Технологічна база: Advanced Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-247 для класичного вивідного монтажу THT 

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 500 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±30 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C номінальний: 20 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 11 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 60 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 280 Вт 

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 0.26 Ом при напрузі затвора 10 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~52 нКл
• Час наростання імпульсу tr: ~88 нс
• Вихідна ємність Coss: ~2500 пФ (в окремих комутаційних режимах до 380 пФ

CMH20N50    Datasheet завантажити