Транзистор OST75N65HMF IGBT IGBT 

Модель OST75N65HMF (виробником часто маркується серія як OST75N65HM) — це надпотужний, високоефективний кремнієвий IGBT-транзистор (біполярний транзистор із ізольованим затвором) нового покоління від відомої компанії Oriental Semiconductor. Він побудований на базі фірмової запатентованої технології TGBM (Trident-Gate Bipolar Transistor), яка забезпечує ультранизьку напругу насичення та надзвичайно низькі втрати при комутації. 

Дана модель масово застосовується в інверторах сонячних панелей, потужних джерелах безперебійного живлення (UPS) та промислових індукційних перетворювачах. Вона є надійною та потужнішою заміною для поширених транзисторів типу G60T60 та 60T65. 

Технічні характеристики IGBT-транзистора OST75N65HMF

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Oriental Semiconductor
• Технологічна база: Advanced Trident-Gate Bipolar Transistor TGBM
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247 для класичного вивідного монтажу THT

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±30 В
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C: 150 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 75 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 300 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 395 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.65 В при номінальному струмі та напрузі затвора 15 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.00 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
• Повний заряд затвора Qg: ~107 нКл
• Час затримки ввімкнення tdon: ~40-55 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~140-180 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.50 В при прямому струмі 75 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 2.10 В
• Час зворотного відновлення trr: ~80-115 нс швидкий та м'який антипаралельний діод FRD
• Максимальний прямий струм діода If при 100°C: 75 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.38 °C/Вт

OST75N65HMF  Datasheet завантажити