Транзистор HYG045N15NS1P Оригінал!!! 195A, 150V, MOSFET, корпус TO-220

HYG045N15NS1P - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220.

Модель HYG045N15NS1P — це надпотужний кремнієвий польовий N-канальний MOSFET-транзистор нового покоління від компанії Huayi Microelectronics (HY). Він побудований на базі прогресивної технології SGT (Shielded Gate Trench), що дозволяє досягати наднизького опору відкритого каналу та забезпечувати високу стійкість до великих струмів в імпульсних режимах (наприклад, у потужних платах BMS електровелосипедів, електросамокатів та в контролерах електродвигунів). 

Технічні характеристики MOSFET-транзистора HYG045N15NS1P

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Huayi Microelectronics
• Технологічна база: Shielded Gate Trench Technology SGT
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220 (в офіційних кресленнях виробника маркується як TO-220FB-3L)

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 150 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 205 А (у роздрібних базах часто вказується як 195 А)
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 145 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 715 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 428.5 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 4.5 мОм при напрузі затвора 10 В
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 5.6 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~94.6 нКл
• Час затримки ввімкнення tdon: ~20-30 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~75-95 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 0.85 В при прямому струмі 20 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.30 В
• Час зворотного відновлення trr: ~80-110 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 205 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.35 °C/Вт

HYG045N15NS1P Datasheet завантажити