Транзистор RU6199R Оригінал!!! 200A, 60V, MOSFET TO-220

RU6199- потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220.

Модель RU6199R — це надпотужний кремнієвий польовий N-канальний MOSFET-транзистор від компанії Ruichips Semiconductor. Завдяки дуже низькому опору відкритого каналу та здатності працювати з великими струмами, він широко використовується в автомобільній електроніці, потужних інверторах живлення, джерелах безперебійного живлення (SMPS) та швидкісних комутаційних схемах.

Технічні характеристики MOSFET-транзистора RU6199R

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Ruichips Semiconductor
• Технологічна база: Advanced Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 60 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±25 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 200 А
• Постійний струм стоку Id обмеження корпусу TO-220: 75 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 800 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 380 Вт (в окремих ревізіях документації виробника вказується 300 Вт)

Static та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 2.8 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 40 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 3.5...3.7 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~110-140 нКл
• Час затримки ввімкнення tdon: ~22 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~75 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 0.80 В при прямому струмі 40 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.30 В
• Час зворотного відновлення trr: ~75 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 200 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.45 °C/Вт

RU6199R  Datasheet завантажити