Транзистор NCE60H15A Оригінал!!! 150A, 60V, MOSFET корпус TO-220

 Транзистор NCE60H15A,  - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220.

Технічні характеристики MOSFET-транзистора NCE60H15A

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: NCE Power
• Технологічна база: Advanced Trench Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220 

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 60 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C: 150 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: ~480-600 А (залежно від тривалості імпульсу на кристалі)
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 220 Вт 

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 3.1 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 75 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 4.0...4.5 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~130.8 нКл
• Час затримки ввімкнення tdon: ~15-25 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~70-95 нс 

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.20 В при прямому струмі 75 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.40 В
• Час зворотного відновлення trr: ~45-65 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 150 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.68 °C/Вт

NCE60H15A Datasheet завантажити