Транзистор NCE60TD65BT, Оригінал! 60A/120A, 650V, TO-247

Модель NCE60TD65  — це високошвидкісний сильний кремнієвий IGBT-транзистор (біполярний транзистор із ізольованим затвором) нового покоління від компанії NCE Power. Він побудований на базі фірмової прогресивної технології Trench FS II (Trench Field Stop) 

Технічні характеристики IGBT-транзистора NCE60TD65BT

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: NCE Power
• Технологічна база: Trench Field Stop II
• Конфігурація кристала:  IGBT із інтегрованим швидким діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±30 В
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C: 120 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C: 60 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 180 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 319 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.60 В при номінальному струмі 60 А та напрузі затвора 15 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.10 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
• Повний заряд затвора Qg: ~262 нКл
• Час затримки ввімкнення tdon: ~19 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~170 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.45 В при прямому струмі 60 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 2.00 В
• Час зворотного відновлення trr: ~186 нс
• Максимальний прямий струм діода If при 100°C: 60 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.47 °C/Вт