Транзистор CRSQ113N20N Оригінал!!! 110A, 200V, MOSFET корпус TO-247

 Транзистор CRSQ113N20N,  - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-247.

Технічні характеристики MOSFET-транзистора CRSQ113N20N

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: CR Micro
• Технологічна база: Advanced SkyMOS3 Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-247 

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 200 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 180 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C обмеження корпусу: 110 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C кремнієве обмеження: 113 А (в окремих ревізіях кристала до 114 А)
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 440 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 329 Вт 

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 8.8 мОм при напрузі затвора 10 В
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 10.6 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~74 нКл
• Час затримки ввімкнення tdon: ~20-30 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~70-95 нс 

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.20 В при прямому струмі 55 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.40 В
• Час зворотного відновлення trr: ~90-120 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 110 А 

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.38 °C/В

CRSQ113N20N   Datasheet завантажити