Транзистор CRSQ027N10NZ Оригінал!!! 240A, 100V, MOSFET, TO-247

CRSQ027N10NZ - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-247.

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: CR Micro
• Технологічна база: Advanced SkyMOS1 Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-247 

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 100 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 273 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C обмеження корпусу: 180 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C кремнієве обмеження: 177 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 720 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 454 Вт 

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 2.6 мОм при напрузі затвора 10 В
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 3.1 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~169 нКл
• Час затримки ввімкнення tdon: ~30-45 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~120-150 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.20 В при прямому струмі 90 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.40 В
• Час зворотного відновлення trr: ~101 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 180 А 

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc:

CRSQ027N10NZ Datasheet завантажити