Транзистор CS160N06A8 Оригінал!!! 160A, 60V, MOSFET (160N06, CS160N06A8, CS160N06) TO-220

Загальні параметри CS160N06A8:

• Виробники / Бренд: CR Micro
• Технологічна база: Advanced Trench Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 60 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Ic при температурі фланця 25°C: 160 А (кремнієве обмеження кристала до 180 А)
• Постійний струм стоку Ic при температурі фланця 100°C: 104 А (в окремих ревізіях до 116 А)
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 720 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 245 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 2.4 мОм при напрузі затвора 10 В (максимальне значення до 3.2 мОм)
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~86.2 нКл
• Час затримки ввімкнення tdon: ~25-35 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~110-130 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.20 В при прямому струмі 80 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.40 В
• Час зворотного відновлення trr: ~65-85 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 160 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.51 °C/Вт

CS160N06 A8 Datasheet завантажити