Транзистор CRG20T60A83L 
Оригінальний G20T60A83L

• Виробник / Бренд: CR Micro
• Технологічна база: Trench Field Stop III
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким діодом зворотного струму FRD
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при температури фланця 25°C: 40 А
• Постійний струм колектора Ic при температури фланця 100°C: 20 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 60 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 140 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.66 В при струмі 20 А та напрузі затвора 15 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.10 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.3...5.7 В
• Повний заряд затвора Qg: ~54 нКл
• Час затримки ввімкнення tdon: ~35.2 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~125.6 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.45 В при прямому струмі 20 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.95 В
• Час зворотного відновлення trr: ~50-75 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 20 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.89 °C/Вт

CRG20T60A83L  Datasheet завантажити