Транзистор FGH40T120SMD, Оригінал 80A/40A, 1200V, IGBT, FGH40T120 SMD, TO-247

IGBT-транзистор FGH40T120SMD

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: ON Semiconductor / Fairchild Semiconductor
• Технологічна база: Field Stop Trench IGBT Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний швидкісний IGBT із вбудованим антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247-3

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 1200 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±25 В
• Постійний струм колектора Ic при 25°C: 80 А
• Постійний струм колектора Ic при 100°C: 40 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 160 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 555 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.80 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.40 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.9...7.5 В
• Повний заряд затвора Qg: 370 нКл
• Вхідна ємність Cies: 4300 пФ
• Вихідна ємність Coes: 180 пФ
• Час затримки вимкнення td(off): 475 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 40 А
• Піковий імпульсний струм діода Ifm: 240 А
• Час зворотного відновлення діода trr: 65 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.27 °C/Вт
• Контроль надійності: 100% перевірка затиснутого індуктивного навантаження від виробника

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Швидкісний високовольтний комутаційний ключ високої потужності, оптимізований для систем із жорстким типом перемикання.
• Сумісні пристрої: Потужні інверторні зварювальні апарати, промислові джерела безперебійного живлення, сонячні та фотоелектричні інвертори.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні перетворювачі напруги великої потужності, потужні активні каскади та схеми корекції коефіцієнта потужності.