Транзистор STP80NF70 Оригінал!!! 98A 68V MOSFET TO-220

STP80NF70 - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220.

MOSFET-транзистор STP80NF70

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: STMicroelectronics
• Технологічна база: STripFET II Power MOSFET
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 68 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 98 А
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 69 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 392 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 190 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 8.2 мОм
• Максимальний опір стоку Rds(on) max: 9.8 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: 75 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 2550 пФ
• Вихідна ємність Coss: 550 пФ
• Час наростання струму tr: 60 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 98 А
• Тип діода: Вбудований швидкодіючий захисний боді-діод із високою стійкістю до швидкості наростання напруги dv/dt

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Контроль надійності: 100% Avalanche Tested

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Силовий низьковольтний комутаційний ключ високої потужності для високоефективних імпульсних каскадів перетворення енергії.
• Сумісні пристрої: Автомобільні інвертори та перетворювачі напруги 12/24 В, джерела безперебійного живлення, контролери легкого електротранспорту, зарядні пристрої.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, схеми синхронного випрямлення струму, ШІМ-регулятори швидкості двигунів та каскади комутації сильних струмів.

STP80NF70 Datasheet завантажити