Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
Транзистор GK110N20S Оригінал!!! 132A, 200V, MOSFET корпус TO-247 HGK110N20S Hunteck, фото 2
Транзистор GK110N20S Оригінал!!! 132A, 200V, MOSFET корпус TO-247 HGK110N20S Hunteck, фото 3
Транзистор GK110N20S Оригінал!!! 132A, 200V, MOSFET корпус TO-247 HGK110N20S Hunteck, фото 4

Транзистор GK110N20S Оригінал!!! 132A, 200V, MOSFET корпус TO-247 HGK110N20S Hunteck

129 ₴

109,65 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 500
Транзистор GK110N20S Оригінал!!! 132A, 200V, MOSFET корпус TO-247 HGK110N20S Hunteck
Транзистор GK110N20S Оригінал!!! 132A, 200V, MOSFET корпус TO-247 HGK110N20S HunteckГотово до відправки
129 ₴109,65 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор GK110N20S - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-247. HGK110N20S Hunteck

MOSFET-транзистор GK110N20S

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: Goford Semiconductor
  • Технологічна база: Advanced Trench Technology
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
  • Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга стік-витік Vdss: 200 В
  • Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±20 В
  • Постійний струм стоку Id при 25°C: 110 А
  • Постійний струм стоку Id при 100°C: 70 А
  • Піковий імпульсний струм стоку Idm: 440 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 375 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 12 мОм
  • Максимальний опір стоку Rds(on) max: 15 мОм (при Vgs = 10 В)
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
  • Повний заряд затвора Qg: ~160 нКл
  • Вхідна ємність Ciss: ~7200 пФ
  • Вихідна ємність Coss: ~680 пФ
  • Час затримки вимкнення td(off): ~85 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Максимальний постійний прямий струм діода Is: 110 А
  • Типова пряма напруга діода Vsd: 1.3 В
  • Час зворотного відновлення діода trr: ~110 нс

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 0.40 °C/Вт
  • Контроль надійності: 100% Avalanche Tested від виробника

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Силовий комутаційний ключ середньої напруги з високою перевантажувальною здатністю та низьким опором каналу для потужних каскадів перетворення.
  • Сумісні пристрої: Промислові джерела безперебійного живлення, потужні сонячні інвертори, зарядні станції, важкий електротранспорт (електрокарри, навантажувачі).
  • Системи керування: Високочастотні DC-DC перетворювачі, ШІМ-регулятори швидкості потужних двигунів постійного струму, схеми синхронного випрямлення та телекомунікаційне обладнання.


GK110N20S  Datasheet завантажити

Характеристики
Основні
ВиробникToshiba
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
Тип транзизораMOSFET
Максимальна напруга+80V
КОРПУСTO-3P, TO-247
Максимальний струм320A
Специфікація
Інформація для замовлення
  • Ціна: 109,65 ₴