Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
Транзистор JT040K065WED Оригінал!!!  80A/40A 650V IGBT  TO-247, фото 2
Транзистор JT040K065WED Оригінал!!!  80A/40A 650V IGBT  TO-247, фото 3
Транзистор JT040K065WED Оригінал!!!  80A/40A 650V IGBT  TO-247, фото 4
Транзистор JT040K065WED Оригінал!!!  80A/40A 650V IGBT  TO-247, фото 5

Транзистор JT040K065WED Оригінал!!! 80A/40A 650V IGBT TO-247

110 ₴

99 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 522
Транзистор JT040K065WED Оригінал!!!  80A/40A 650V IGBT  TO-247
Транзистор JT040K065WED Оригінал!!! 80A/40A 650V IGBT TO-247Готово до відправки
110 ₴99 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор JT040K065WED IGBT (заміна для JT040K065AED)
650V /40A Trench Field Stop IGBT

IGBT-транзистор JT040K065WED

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: Jilin Sino-Microelectronics (JSMC)
  • Технологічна база: Trench Field Stop Technology (Trench FS)
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
  • Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
  • Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
  • Постійний струм колектора Ic при 25°C: 80 А
  • Постійний струм колектора Ic при 100°C: 40 А
  • Піковий імпульсний струм колектора Icm: 120 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 284 Вт (у деяких специфікаціях теплова стійкість корпусу до 340 Вт)

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.70 В (при Vge = 15 В, Ic = 40 А)
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.0 В
  • Характеристика перемикання: Оптимізована структура з низьким зарядом затвора (Low gate charge) для швидкісної комутації та зниження динамічних втрат

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 40 А
  • Тип діода: Вбудований надшвидкий антипаралельний діодный перехід із м'яким відновленням

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C (у нових модифікаціях короткочасно в піках до +175 °C)
  • Екологічність та безпека: Продукт відповідає директиві безсвинцевого виконання RoHS

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Силовий швидкісний комутаційний ключ середньої потужності для інверторних систем та імпульсних пристроїв.
  • Сумісні пристрої: Зварювальні інвертори легкого та середнього класу, джерела безперебійного живлення (ДБЖ / UPS), перетворювачі напруги, інвертори загального призначення.
  • Системи керування: Високочастотні блоки живлення, активні схеми корекції коефіцієнта потужності (PFC) та ШІМ-інвертори частотно-регульованих електроприводів.




JT040N065WED  Datasheet завантажити

 

Характеристики
Основні
ВиробникFairchild Semiconductor
Країна виробникКитай
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм150A
Тип транзизораIGBT
Специфікація
Інформація для замовлення
  • Ціна: 99 ₴