|
MOSFET-транзистор MS30N100HGCO
Загальні параметри:
- Виробники / Бренд: MASPOWER / HuanXin
- Технологічна база: High Voltage Power MOSFET
- Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний високовольтний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
- Виконання корпусу: TO-247
Електричні параметри (Гранично допустимі значення):
- Максимальна напруга стік-витік Vdss: 1000 В
- Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В
- Постійний струм стоку Id при 25°C: 30 А
- Постійний струм стоку Id при 100°C: 32.3 А
- Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 290 Вт
Статичні та динамічні характеристики транзистора:
- Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 280 мОм
- Максимальний опір стоку Rds(on) max: 390 мОм
- Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 3.3...4.5 В
- Повний заряд затвора Qg: 96 нКл
- Вхідна ємність Ciss: 4690 пФ
- Вихідна ємність Coss: 421 пФ
Параметри вбудованого захисного діода:
- Максимальний постійний прямий струм діода Is: 30 А
- Тип діода: Вбудований швидкодіючий захисний боді-діод
Теплові параметри та експлуатація:
- Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +150 °C
- Ефективність охолодження: Корпус оптимізовано під монтаж на великі радіатори силових пристроїв
Область застосування та використання:
- Основне призначення: Високовольтний швидкісний силовий перемикач для мережевих інверторних систем, що працюють з великими напругами.
- Сумісні пристрої: Промислові джерела безперебійного живлення, потужні сонячні інвертори, високовольтні імпульсні блоки живлення, зварювальне устаткування.
- Системи керування: Високочастотні перетворювачі енергії, ШІМ-регулятори потужності та мостові топології комутації навантаження.
|
