Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
Транзистор SRC60R140BTG Оригінал!!! 25A/11A, 600V, MOSFET (Заміна CRJQ190N65GCFG , SRC60R140BTFG TO-247, фото 2
Транзистор SRC60R140BTG Оригінал!!! 25A/11A, 600V, MOSFET (Заміна CRJQ190N65GCFG , SRC60R140BTFG TO-247, фото 3

Транзистор SRC60R140BTG Оригінал!!! 25A/11A, 600V, MOSFET (Заміна CRJQ190N65GCFG , SRC60R140BTFG TO-247

135 ₴

128,25 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 518
Транзистор SRC60R140BTG Оригінал!!! 25A/11A, 600V, MOSFET (Заміна CRJQ190N65GCFG , SRC60R140BTFG TO-247
Транзистор SRC60R140BTG Оригінал!!! 25A/11A, 600V, MOSFET (Заміна CRJQ190N65GCFG , SRC60R140BTFG TO-247Готово до відправки
135 ₴128,25 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор SRC60R140B, SRC60R140BTFE,  SRC60R140BTFG
Оригінальний, новий
Заміна CRJQ190N65GCFG

MOSFET-транзистор SRC60R140BTG (SRC60R140B)

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: Sanrise Technology
  • Технологічна база: Super Junction N-Channel Power MOSFET
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний високовольтний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
  • Виконання корпусу: TO-247 (також у серії маркується з суфіксами BTFE / BTFG)

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга стік-витік Vdss: 600 В
  • Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В
  • Постійний струм стоку Id при 25°C: 25 А
  • Постійний струм стоку Id при 100°C: 15.8 А (при 125°C номінальний струм становить 11.2 А)
  • Піковий імпульсний струм стоку Idm: 76 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 178 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 140 мОм (при Vgs = 10 В, Id = 13 А)
  • Максимальний опір стоку Rds(on) max: 140 мОм (діапазон стабільності від 126 мОм)
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.3...4.3 В (типове значення 3.3 В)
  • Характеристика перемикання: Наднизький заряд затвора (Low Gate Charge) та висока швидкість комутації завдяки технології Super Junction

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Максимальний постійний прямий струм діода Is: 25 А
  • Тип діода: Вбудований швидкодіючий захисний боді-діод із високою стійкістю до лавинного пробою (High rugged avalanche characteristic)

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
  • Ефективність структури: Розроблено для забезпечення високої щільності потужності (superior power density) та підвищеного ККД пристрою

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Високовольтний високочастотний комутаційний ключ для високоефективних імпульсних систем (часто застосовується як пряма заміна та аналог для транзисторів типу CRJQ190N65GCFG).
  • Сумісні пристрої: Імпульсні блоки живлення AC/DC (AC/DC power supplies), блоки живлення персональних комп'ютерів та серверів, телекомунікаційне обладнання, сонячні інвертори (solar inverters).
  • Системи керування: Високочастотні перетворювачі напруги (SMPS), активні каскади та модулі корекції коефіцієнта потужності (PFC), мостові та напівмостові схеми ШІМ-регулюва

SRC60R140B Datasheet завантажити

 

 

Характеристики
Основні
ВиробникСинтекс
Країна виробникКитай
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
КОРПУСTO-220F
Максимальна напруга+600V
Максимальний струм25A
Тип транзизораMOSFET
Специфікація
Інформація для замовлення
  • Ціна: 128,25 ₴