Технічні характеристики IGBT-транзистора XNF20N60T

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Xiner
• Технологічна база: Advanced Trench+FS Field Stop IGBT Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-220F повністю ізольований пластиковий корпус

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 40 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 20 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 60...80 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 14...34 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.70 В при номінальному струмі 20 А, напрузі затвора 15 В та температурі 25°C
• Позитивний температурний коефіцієнт: легке паралельне з'єднання транзисторів завдяки зростанню напруги Vce при нагріванні
• Вхідний імпеданс: високий опір для зниження потужності керування затвором
• Швидкість комутації: оптимізовано для мінімальних динамічних втрат на високих частотах

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальний постійний прямий струм діода If при 25°C: 20 А
• Конфігурація захисту: інтегрований швидкісний діод для надійної роботи з індуктивними навантаженнями

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C
• Експлуатаційна сумісність: розроблено для універсальних інверторів загального призначення, систем керування двигунами та інтелектуальних силових модулів

XNF20N60T Datasheet завантажити