Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
Транзистор IRFP4668PBF Оригінал!!! 130A, 200V, MOSFET корпус TO-247, фото 2
Транзистор IRFP4668PBF Оригінал!!! 130A, 200V, MOSFET корпус TO-247, фото 3
Транзистор IRFP4668PBF Оригінал!!! 130A, 200V, MOSFET корпус TO-247, фото 4

Транзистор IRFP4668PBF Оригінал!!! 130A, 200V, MOSFET корпус TO-247

125 ₴

  • Немає в наявності
  • Код: 504
Транзистор IRFP4668PBF Оригінал!!! 130A, 200V, MOSFET корпус TO-247
Транзистор IRFP4668PBF Оригінал!!! 130A, 200V, MOSFET корпус TO-247Немає в наявності
125 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно

MOSFET-транзистор IRFP4668PBF

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: International Rectifier (Infineon Technologies)
  • Технологічна база: HEXFET Power MOSFET
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
  • Виконання корпусу: TO-247AC

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга стік-витік Vdss: 200 В
  • Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±20 В
  • Постійний струм стоку Id при 25°C: 130 А (обмеження виводів корпусу; струм кремнієвого кристала досягає 172 А)
  • Постійний струм стоку Id при 100°C: 121 А (номінал кристала)
  • Піковий імпульсний струм стоку Idm: 520 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 517 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 8.0 мОм
  • Максимальний опір стоку Rds(on) max: 9.7 мОм (при Vgs = 10 В)
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 3.0...5.0 В
  • Повний заряд затвора Qg: 161 нКл (максимальний до 241 нКл)
  • Вхідна ємність Ciss: 10100 пФ
  • Вихідна ємність Coss: 1050 пФ
  • Енергія одиночного лавинного імпульсу Eas: 183 мДж

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Максимальний постійний прямий струм діода Is: 130 А
  • Максимальний імпульсний струм діода Ism: 520 А
  • Типова пряма напруга діода Vsd: 1.3 В
  • Час зворотного відновлення діода trr: 125 нс

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 0.29 °C/Вт
  • Контроль надійності: 100% Avalanche Tested та висока швидкість наростання напруги dV/dt від виробника

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Високострумовий високоефективний комутаційний ключ середньої напруги для систем із жорсткими та важкими режимами роботи силових каскадів.
  • Сумісні пристрої: Потужні промислові та автомобільні інвертори напруги, джерела безперебійного живлення, зарядні станції, сонячні перетворювачі, телекомунікаційне обладнання.
  • Системи керування: Високочастотні DC-DC перетворювачі, схеми синхронного випрямлення високої потужності, ШІМ-регулятори важких промислових двигунів постійного струму.



IRFP4668PBF  Datasheet завантажити

Характеристики
Основні
ВиробникFairchild Semiconductor
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
КОРПУСTO-3P, TO-220
Максимальна напруга600
Максимальна напруга+600V, 200V
Максимальний струм140A
Тип транзизораMOSFET
Специфікація
Інформація для замовлення
  • Ціна: 125 ₴