Транзистор CRST030N10N Оригінал!!! 180A, 100V, MOSFET (Заміна HY3810, IRFB4110) корпус TO-220

CRST030N10N- потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220. 
Заміна HY3810, IRFB4110)

MOSFET-транзистор CRST030N10N

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: CR Micro
• Технологічна база: SkyMOS1 N-MOSFET Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 100 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 180 А
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 131 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 720 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 227 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 2.5 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: 169 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 6920 пФ
• Вихідна ємність Coss: 1446 пФ
• Час наростання струму tr: 111 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 90 А
• Тип діода: Вбудований швидкодіючий захисний боді-діод

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Контроль надійності: Відповідність галузевим стандартам сертифікації для цільових силових застосувань

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Високострумовий комутаційний ключ низької та середньої напруги з наднизьким опором відкритого каналу.
• Сумісні пристрої: Потужні мережеві та автомобільні інвертори, сонячні перетворювачі, джерела безперебійного живлення, зарядні станції.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, схеми синхронного випрямлення струму, ШІМ-регулятори швидкості двигунів та плати захисту потужних літієвих акумуляторних батарей.

CRST030N10N Datasheet завантажити