Транзистор оригінальний G40T60AK3HD. CRG40T60AK3HD
(заміна G40T60AN3H )

IGBT-транзистор G40T60AK3HD

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: CR Micro
• Технологічна база: Advanced Trench Field Stop IGBT Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при 25°C: 80 А
• Постійний струм колектора Ic при 100°C: 40 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 120 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 336 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.85 В – 1.90 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
• Повний заряд затвора Qg: 239 нКл
• Вхідна ємність Ciss: оптимізована для високочастотних інверторних схем
• Вихідна ємність Coss: 141 пФ
• Час наростання струму ton: 56 нс
• Час спаду струму tof: 178 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальний постійний прямий струм діода If: 80 А
• Піковий імпульсний струм діода IFm: 120 А
• Час зворотного відновлення діода trr: 48 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Особливості монтажу: Рекомендовано використання радіатора з термопастою для стабільного відведення тепла

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Силовий швидкісний комутаційний ключ середньої потужності для високочастотних інверторних архітектур.
• Сумісні пристрої: Сучасні інверторні зварювальні апарати, сонячні та фотоелектричні інвертори, джерела безперебійного живлення.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, active PFC схеми корекції коефіцієнта потужності та ШІМ-контролери електроприводів.

G40T60AK3HD Datasheet завантажити