MOSFET-транзистор HYG032N08NS1P

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Huayi Microelectronics (HUAYI)
• Технологічна база: Power MOSFET Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-220 (стандартний вивідний триконтактний корпус із відкритим металевим фланцем)

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 80 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 120 А (номінальне обмеження виводів корпусу; реальний максимальний струм кремнієвого кристала становить 190 А)
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 120 А (номінал кристала при цій температурі — 135 А)
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 680 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 220 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 2.7 мОм
• Максимальний опір стоку Rds(on) max: 3.2 мОм (при напрузі на затворі Vgs = 10 В)
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~132 нКл
• Вхідна ємність Ciss: ~7450 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~910 пФ
• Енергія одиночного лавинного імпульсу Eas: 480 мДж

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 120 А
• Типова пряма напруга діода Vsd: 1.3 В
• Тип інтегрованого діода: Вбудований швидкодіючий захисний боді-діод

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 0.68 °C/Вт
• Контроль надійності: 100% Avalanche Tested та UIS Tested від виробника

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Високострумовий комутаційний ключ низької та середньої напруги з ультранизьким опором відкритого каналу для сильнонавантажених каскадів.
• Сумісні пристрої: Потужні мережеві й автомобільні інвертори напруги 12/24/48 В, сучасні джерела безперебійного живлення, контролери електротранспорту, зарядні пристрої.
• Системи керування: Високострумові ШІМ-регулятори швидкості двигунів постійного струму, плати захисту та балансування літієвих акумуляторних батарей (BMS) великої місткості, схеми синхронного випрямлення.

HYG032N08N Datasheet завантажити