Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик

Транзистор OSG65R220P Оригінал!!! 18A ,650V MOSFET TO-220 (OSG65R220PZ)

105 ₴

  • Немає в наявності
  • Код: 513
Транзистор OSG65R220P Оригінал!!! 18A ,650V MOSFET TO-220 (OSG65R220PZ)
Транзистор OSG65R220P Оригінал!!! 18A ,650V MOSFET TO-220 (OSG65R220PZ)Немає в наявності
105 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно

MOSFET-транзистор OSG65R220P (OSG65R220PF / OSG65R220PT)

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: Oriental Semiconductor
  • Технологічна база: GreenMOS Super Junction Technology
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
  • Виконання корпусу: TO-220F (повністю ізольований пластиковий корпус) або TO-247 (залежно від суфікса моделі)

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга стік-витік Vdss: 650 В (до 700 В при максимальному нагріванні кристала)
  • Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В
  • Постійний струм стоку Id при 25°C: 19 А
  • Постійний струм стоку Id при 100°C: 12.1 А
  • Піковий імпульсний струм стоку Idm: 57 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 34 Вт (для ізольованого корпусу TO-220F) / до 151 Вт (для TO-247)
  • Максимальна швидкість наростання напруги dv/dt: 100 В/нс

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 180 мОм
  • Максимальний опір стоку Rds(on) max: 220 мОм (при Vgs = 10 В)
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
  • Повний заряд затвора Qg: 31.2 нКл
  • Вхідна ємність Ciss: 1420 пФ
  • Вихідна ємність Coss: 92 пФ
  • Час затримки вимкнення td(off): 52 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Максимальний постійний прямий струм діода Is: 19 А
  • Типова пряма напруга діода Vsd: 1.4 В
  • Час зворотного відновлення діода trr: 280 нс
  • Заряд зворотного відновлення Qrr: 3.1 мкКл

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
  • Енергія одиночного лавинного імпульсу Eas: 450 мДж
  • Контроль надійності: 100% Avalanche Tested та низький вбудований опір затвора (Rg) від виробника

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Високошвидкісний високовольтний комутаційний ключ із низьким опором у відкритому стані та малими динамічними втратами.
  • Сумісні пристрої: Серверні блоки живлення, інвертори напруги, побутові та промислові імпульсні адаптери великої потужності, світлодіодні драйвери.
  • Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення (SMPS), активні каскади корекції коефіцієнта потужності (PFC), мостові та резонансні топології перетворення енергії (LLC / Full-Bridge).


OSG65R220P Datasheet завантажити

 

 

Характеристики
Основні
ВиробникСинтекс
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
Максимальна напруга+650V
КОРПУСTO-220F
Максимальний струм20A
Тип транзизораMOSFET
Специфікація
Інформація для замовлення
  • Ціна: 105 ₴