MOSFET-транзистор JCS11N90WT

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Jilin Sino-Microelectronics (JILIN SINO)
• Технологічна база: High Voltage Power MOSFET
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний високовольтний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 900 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 11 А
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 7 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 44 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 240 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 0.95 Ом
• Максимальний опір стоку Rds(on) max: 1.15 Ом (при Vgs = 10 В)
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: 66 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 2950 пФ
• Вихідна ємність Coss: 230 пФ
• Енергія одиночного лавинного імпульсу Eas: 750 мДж

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 11 А
• Типова пряма напруга діода Vsd: 1.5 В
• Час зворотного відновлення діода trr: 550 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 0.52 °C/Вт
• Контроль надійності: 100% Avalanche Tested від виробника

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Високовольтний силовий комутаційний ключ для мережевих пристроїв із повышенными вимогами до напруги пробою.
• Сумісні пристрої: Промислові блоки живлення, сонячні інвертори, джерела безперебійного живлення (ДБЖ / UPS), світлодіодні драйвери високої потужності.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні перетворювачі напруги (SMPS), DC-DC перетворювачі, схеми активної корекції коефіцієнта потужності (PFC) та каскади електронних баластів.

JCS11N90WT Datasheet завантажити