Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
Транзистор G40T65AN5H Оригінал! 80A/40A, 650V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P (заміна G40T60AN3H, G40T65AK5HD), фото 2
Транзистор G40T65AN5H Оригінал! 80A/40A, 650V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P (заміна G40T60AN3H, G40T65AK5HD), фото 3

Транзистор G40T65AN5H Оригінал! 80A/40A, 650V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P (заміна G40T60AN3H, G40T65AK5HD)

115 ₴

79,35 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 506
Транзистор G40T65AN5H Оригінал! 80A/40A, 650V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P (заміна G40T60AN3H, G40T65AK5HD)
Транзистор G40T65AN5H Оригінал! 80A/40A, 650V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P (заміна G40T60AN3H, G40T65AK5HD)Готово до відправки
115 ₴79,35 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор оригінальний G40T65AN5H . CRG40T65AN5H
Заміна G40T60AN3H, G40T65AK5HD

IGBT-транзистор G40T65AN5H

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: CRMicro
  • Технологічна база: Advanced Trench Field Stop Technology
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
  • Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
  • Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В (імпульсна короткочасна стійкість до ±30 В)
  • Постійний струм колектора Ic при 25°C: 80 А
  • Постійний струм колектора Ic при 100°C: 40 А
  • Піковий імпульсний струм колектора Icm: 160 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 268 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.70 В
  • Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.15 В
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
  • Повний заряд затвора Qg: ~102 нКл
  • Вхідна ємність Ciss: ~2410 пФ
  • Вихідна ємність Coss: ~82 пФ
  • Час затримки вимкнення tdoff: ~95 нс
  • Характеристика перемикання: Швидкісна серія з оптимізованими динамічними втратами та мінімальним залишком «хвостового» струму

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Типова пряма напруга діода Vf: 1.65 В
  • Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 40 А
  • Час зворотного відновлення діода trr: ~52 нс

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.56 °C/Вт
  • Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 1.12 °C/Вт

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Швидкісний силовиій комутаційний ключ середньої потужності для високоефективного перетворення енергії на підвищених частотах ШІМ.
  • Сумісні пристрої: Інверторні зварювальні апарати, побутові та промислові джерела безперебійного живлення, сонячні інвертори.
  • Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, активні схеми корекції коефіцієнта потужності та інверторні приводи частотно-регульованих двигунів.


 

G40T65AN5H Datasheet завантажити

 

 

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
КОРПУСTO-3P
Максимальна напруга600
Максимальна напруга+600V
Максимальний струм80A
Тип транзизораIGBT
Специфікація
Інформація для замовлення
  • Ціна: 79,35 ₴
  • Спосіб упаковки: картон