IGBT-транзистор XNP40N60TH

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: XINER
• Технологічна база: Trench Field Stop IGBT Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при 25°C: 80 А
• Постійний струм колектора Ic при 100°C: 40 А
• Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.8 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.5...6.5 В
• Повний заряд затвора Qg: 115 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 2100 пФ
• Характеристика перемикання: Оптимізована швидкісна серія з низькими втратами на перемикання та високою стійкістю до жорстких режимів комутації

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 40 А
• Тип діода: Вбудований швидкісний захисний антипаралельний діод

Теплові параметри та експлуатація:

• Робочий температурний діапазон переходу: від -40 °C до +175 °C
• Ефективність охолодження: Корпус забезпечує надійне відведення тепла при безпосередньому монтажі на силовий радіатор

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Швидкісний силовий комутаційний ключ середньої потужності для інверторних та перетворювальних топологій.
• Сумісні пристрої: Зварювальні інвертори, сонячні та фотоелектричні перетворювачі, джерела безперебійного живлення, побутова техніка з частотним регулюванням.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, активні схеми корекції коефіцієнта потужності та ШІМ-контролери електроприводів.

XNP40N60TH   Datasheet завантажити