Транзистор NCE25TD120VT Оригінал 50A/25A, 1200V, IGBT, , TO-247

Технічні характеристики IGBT-транзистора NCE25TD120VT

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: NCE Power
• Технологічна база: Trench Field Stop II Technology Trench FS II
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 1200 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±30 В
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 50 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 25 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 100 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 365 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.70 В при номінальному струмі 25 А, напрузі керування 15 В та температурі 25°C
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 5.0...6.0 В при струмі колектора 1 мА
• Повний заряд затвора Qg: ~146 нКл при напрузі затвора 15 В
• Вхідна ємність Ciss: ~2674 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~72 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~19 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~170 нс
• Час наростання імпульсу tr: ~17 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 25 А
• Максимальний імпульсний струм діода Ifm: 100 А
• Час зворотного відновлення діода trr: ~190 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.41 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 0.78 °C/Вт