Транзистор SPW47N60C3, Оригінал!!! 47A/30A, 650V, MOSFET, TO-247 47N60C3

Технічні характеристики MOSFET-транзистора SPW47N60C3

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Infineon Technologies
• Технологічна база: CoolMOS C3 Power Transistor
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 600 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C номінальний: 47 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 30 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 141 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 415 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 60 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 30 А
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.1...3.9 В
• Повний заряд затвора Qg: ~252 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~6800 пФ при напрузі 25 В
• Час затримки ввімкнення tdon: ~18 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~111 нс
• Максимальна одиночна лавинна енергія Eas: 1800 мДж

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 0.95 В при прямому струмі 47 А та напрузі затвора 0 В
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.20 В
• Час зворотного відновлення trr: ~900 нс
• Максимальний постійний прямий струм діода If: 47 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.30 °C/Вт