Транзистор HY5110, HY5110W   - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-247.

Технічні характеристики MOSFET-транзистора HY5110W

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Huayi Microelectronics
• Технологічна база: Power MOSFET Technology (режим збагачення)
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-247 (також вказується як TO-247A-3L)

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 100 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±25 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 316 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 214 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 1085 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 500 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 2.1...2.5 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 158 А
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~356 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~16465 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~1558 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~58 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~120 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.30...1.40 В
• Час зворотного відновлення trr: ~74 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 316 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.30 °C/Вт

HY5110 Datasheet завантажити