Технічні характеристики IGBT-транзистора G50T65AK5SD

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: CR Micro
• Технологічна база: Trench Field Stop Technology FS
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму FRD
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±30 В
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 20°C / 25°C максимальний: 60 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 50 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 150...200 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 268 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.40 В при номінальному струмі 50 А та напрузі затвора 15 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 1.90...2.10 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...7.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~86 нКл
• Вхідна ємність Ciss: ~3050 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~115...180 пФ
• Час наростання імпульсу tr: ~72 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.45...1.65 В при прямому струмі 50 А
• Максимальний прямий струм діода If: 50 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: ~0.56 °C/Вт

G50T65AK5SD  Datasheet завантажити