Транзистор NCEP026N10 Оригінал!!! 200A/142A, 100V, MOSFET корпус TO-220

 Транзистор NCEP026N10,  - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220.

Технічні характеристики MOSFET-транзистора NCEP026N10

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: NCE Power
• Технологічна база: Super Trench Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 100 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 260 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C обмеження корпусу: 180 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 183 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 1040 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 375 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 2.2 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 130 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 2.6 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~168 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~10900 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~745 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~30 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~125 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 0.88 В при прямому струмі 130 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.20 В
• Час зворотного відновлення trr: ~108 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 260 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.40 °C/Вт

NCEP026N10 Datasheet завантажити