Транзистор HUG028N10NS1P Оригінал!!! 120A, 100V, MOSFET корпус TO-220

 Транзистор HUG028N10NS1P ,  - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220.

Технічні характеристики MOSFET-транзистора HUG028N10NS1P

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Huayi Microelectronics (також маркується як HOOYI / HY)
• Технологічна база: Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 100 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 230 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 162 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 610 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 300 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 2.6...3.3 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 50 А
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В (типове значення 3 В)
• Повний заряд затвора Qg: ~176 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~10320 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~3454 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~27.3 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~92.8 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 0.85...1.00 В при прямому струмі 50 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.30...1.40 В
• Час зворотного відновлення trr: ~85-110 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 230 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: ~0.50 °C/Вт

HUG028N10NS1P  Datasheet завантажити