Транзистор NCE65TF099T Оригінал!!! 38A/24A, 650V, MOSFET, TO-247 (KEA 30N50A)

NCE65TF099T - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-247. KEA 30N50A)

Технічні характеристики MOSFET-транзистора NCE65TF099T 

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: NCE Power
• Технологічна база: Advanced Trench Gate Super Junction Power MOSFET III
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 650 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±30 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C номінальний: 38 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 24 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 152 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 322 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 89...99 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 19 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 109 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 3.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~45-56 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~2800 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~97 пФ

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 0.90 В при прямому струмі 19 А
• Час зворотного відновлення trr: ~110-390 нс (аптайм оптимізовано для високої швидкості комутації)
• Максимальний прямий струм діода If: 38 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C (в окремих ревізіях тестів до +175 °C)
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.39 °C/Вт

NCE65TF099T  Datasheet завантажити