Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
впередназад
Транзистор CRG25T120AK3SD Оригінал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247, фото 2
Транзистор CRG25T120AK3SD Оригінал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247, фото 3
Транзистор CRG25T120AK3SD Оригінал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247, фото 4
Транзистор CRG25T120AK3SD Оригінал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247, фото 5
Транзистор CRG25T120AK3SD Оригінал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247, фото 6

Транзистор CRG25T120AK3SD Оригінал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247

125 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 492
Транзистор CRG25T120AK3SD Оригінал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247
Транзистор CRG25T120AK3SD Оригінал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247Готово до відправки
125 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

IGBT-транзистор CRG25T120AK3SD

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: CRM Microelectronics / CR Micro
  • Технологічна база: Advanced Trench Field Stop Technology
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
  • Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 1200 В
  • Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В (імпульсна короткочасна стійкість до ±30 В)
  • Постійний струм колектора Ic при 25°C: 50 А
  • Постійний струм колектора Ic при 100°C: 25 А
  • Піковий імпульсний струм колектора Icm: 100 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 227 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.85 В
  • Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.30 В
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 5.0...6.5 В
  • Повний заряд затвора Qg: ~95 нКл
  • Вхідна ємність Ciss: ~1750 пФ
  • Вихідна ємність Coss: ~68 пФ
  • Час затримки вимкнення tdoff: ~120 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Типова пряма напруга діода Vf: 1.95 В
  • Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 25 А
  • Час зворотного відновлення діода trr: ~160 нс

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.66 °C/Вт
  • Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 1.15 °C/Вт

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Високовольтний силовиій перемикач середньої потужності, оптимізований для високих частот комутації та мінімальних динамічних втрат.
  • Сумісні пристрої: Зварювальні інвертори, трифазні сонячні інвертори, джерела безперебійного живлення (ДБЖ), потужні індукційні нагрівачі (наприклад, індукційні плити та квазірезонансні системи).
  • Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, активні схеми корекції коефіцієнта потужності (PFC) та ШІМ-інвертори приводів електродвигунів.


CRG25T120AK3SD Datasheet завантажити

 

 

Характеристики
Основні
ВиробникIXUS
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга+1200V
Максимальний струм50A
Тип транзизораIGBT
Специфікація
Інформація для замовлення
  • Ціна: 125 ₴