Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
Транзистор K50MCH7 Оригінал!!! 86A/73A, 1200V, IGBT (IKW50N120CH7 )  TO247, фото 2
Транзистор K50MCH7 Оригінал!!! 86A/73A, 1200V, IGBT (IKW50N120CH7 )  TO247, фото 3
Транзистор K50MCH7 Оригінал!!! 86A/73A, 1200V, IGBT (IKW50N120CH7 )  TO247, фото 4
Транзистор K50MCH7 Оригінал!!! 86A/73A, 1200V, IGBT (IKW50N120CH7 )  TO247, фото 5

Транзистор K50MCH7 Оригінал!!! 86A/73A, 1200V, IGBT (IKW50N120CH7 ) TO247

495 ₴

  • Немає в наявності
  • Код: 490
Транзистор K50MCH7 Оригінал!!! 86A/73A, 1200V, IGBT (IKW50N120CH7 )  TO247
Транзистор K50MCH7 Оригінал!!! 86A/73A, 1200V, IGBT (IKW50N120CH7 ) TO247Немає в наявності
495 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно

IGBT-транзистор K50MCH7 (IKQ50N120CH7)

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: Infineon Technologies
  • Технологічна база: TRENCHSTOP IGBT 7 (High speed 1200 V series)
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний високошвидкісний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
  • Виконання корпусу: TO-247-3 (IKQ50N120CH7)

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 1200 В
  • Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В (імпульсна короткочасна стійкість до ±30 В)
  • Постійний струм колектора Ic при 25°C: 86 А
  • Постійний струм колектора Ic при 100°C: 73 А (номінальний струм серії — 50 А)
  • Піковий імпульсний струм колектора Icm: 200 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 398 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.70 В
  • Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.15 В
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 5.0...6.5 В
  • Повний заряд затвора Qg: ~235 нКл
  • Вхідна ємність Ciss: ~4250 пФ
  • Вихідна ємність Coss: ~6600 пФ (ємнісні параметри структури оптимізовано під високу частоту)
  • Час затримки вимкнення tdoff: ~125 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Типова пряма напруга діода Vf: ~1.85 В
  • Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 50 А
  • Піковий імпульсний струм діода Ifpuls: 200 А
  • Час зворотного відновлення діода trr: ~65 нс

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.38 °C/Вт
  • Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 0.62 °C/Вт

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Високовольтний надшвидкісний силовий комутаційний ключ сьомого покоління для систем із жорстким перемиканням на високих частотах ШІМ.
  • Сумісні пристрої: Потужні інверторні зварювальні апарати промислового класу, трифазні сонячні інвертори, промислові джерела безперебійного живлення (ДБЖ / UPS), системи індукційного нагріву великої потужності.
  • Системи керування: Високочастотні перетворювачі енергії з високою щільністю потужності, активні трифазні коректори коефіцієнта потужності (PFC) та інвертори електроприводів частотного регулювання.


 

K50MCH7 Datasheet скачать

Характеристики
Основні
ВиробникFairchild Semiconductor
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга+650V, 1200V
Максимальний струм86A
Тип транзизораIGBT
Інформація для замовлення
  • Ціна: 495 ₴