Транзистор NCEP85T16 Оригінал!!! 160A/112A, 85V, MOSFET корпус TO-220

Технічні характеристики MOSFET-транзистора NCEP85T16

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: NCE Power
• Технологічна база: Advanced Super Trench Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-220 (в окремих специфікаціях TO-220-3L)

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 85 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 160 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 113 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 640 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 210 Вт
• Енергія одиночного лавинного пробою Eas: ~800 мДж

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 3.6 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 80 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 4.2 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В при струмі 250 мкА
• Повний заряд затвора Qg: ~102 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~6320 пФ при напрузі стік-витік 42 В
• Вихідна ємність Coss: ~570 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~25 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~78 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 0.88 В при прямому струмі 80 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.20 В
• Час зворотного відновлення trr: ~75 нс швидкісний інтегрований діод зворотного струму
• Максимальний постійний прямий струм діода If: 160 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.71 °C/Вт

NCEP85T16 Datasheet завантажити