Кошик
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Кошик
Транзистор KGF75N65KDF Оригінал!!! 75A/150A, 650V IGBT (заміна KGF60N65KDF, KGF50N65KDF, 60N65KDF) TO-247, фото 2
Транзистор KGF75N65KDF Оригінал!!! 75A/150A, 650V IGBT (заміна KGF60N65KDF, KGF50N65KDF, 60N65KDF) TO-247, фото 3
Транзистор KGF75N65KDF Оригінал!!! 75A/150A, 650V IGBT (заміна KGF60N65KDF, KGF50N65KDF, 60N65KDF) TO-247, фото 4

Транзистор KGF75N65KDF Оригінал!!! 75A/150A, 650V IGBT (заміна KGF60N65KDF, KGF50N65KDF, 60N65KDF) TO-247

155 ₴

  • Немає в наявності
  • Код: 482
Транзистор KGF75N65KDF Оригінал!!! 75A/150A, 650V IGBT (заміна KGF60N65KDF, KGF50N65KDF, 60N65KDF) TO-247
Транзистор KGF75N65KDF Оригінал!!! 75A/150A, 650V IGBT (заміна KGF60N65KDF, KGF50N65KDF, 60N65KDF) TO-247Немає в наявності
155 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
повернення товару протягом 14 днів безкоштовно

Транзистор KGF75N65KDF IGBT (заміна для KGF60N65KDF, KGF50N65KDF, 60N65KDF, 50N65KDF, 75N65KDF)

IGBT-транзистор KGF75N65KDF

Загальні параметри:

  • Виробники / Бренд: KEC
  • Технологічна база: Field Stop Trench IGBT Technology
  • Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
  • Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

  • Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
  • Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
  • Постійний струм колектора Ic при 25°C: 100 А
  • Постійний струм колектора Ic при 100°C: 75 А
  • Піковий імпульсний струм колектора Icm: 225 А
  • Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 484 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

  • Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.77 В
  • Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.20 В
  • Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.2...6.4 В
  • Повний заряд затвора Qg: 128 нКл
  • Затримка вмикання td(on) / Час наростання tr: 63 нс / 115 нс
  • Затримка вимкнення td(off) / Час спаду tf: 177 нс / 90 нс
  • Сумарні комутаційні втрати Ets: 5.7 мДж

Параметри вбудованого захисного діода:

  • Максимальний постійний прямий струм діода If при 25°C: 75 А
  • Піковий імпульсний струм діода Ifm: 225 А
  • Типова пряма напруга діода Vf: встановлюється залежно від номінального струму

Теплові параметри та експлуатація:

  • Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
  • Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.31 °C/Вт
  • Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 1.0 °C/Вт

Область застосування та використання:

  • Основне призначення: Силовий високострумовий комутаційний ключ для ланцюгів перетворення енергії.
  • Сумісні пристрої: Інверторні зварювальні апарати, сонячні інвертори, промислові джерела безперебійного живлення, інвертори мікрохвильових печей.
  • Системи керування: Схеми активної корекції коефіцієнта потужності, імпульсні блоки живлення, ШІМ-контролери та загальні промислові перетворювачі частоти.




KGF75N65KDF  Datasheet завантажити

 

Характеристики
Основні
ВиробникFairchild Semiconductor
Країна виробникКитай
Користувальницькі характеристики
Кількість в упаковці1 шт.
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм150A
Тип транзизораIGBT
КОРПУСTO-247
Специфікація
Інформація для замовлення
  • Ціна: 155 ₴