Оригінал.
Новий. Транзистор OSG65R130HT3Z  Оригінал! (заміна kbr KEA20N50, FQA24N50, SPW24N60CFD, 24N60 CFD 24N60C3 25N60) TO-247

MOSFET-транзистор OSG65R130HT3Z (у корпусі TO-247)

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Oriental Semiconductor
• Технологічна база: GreenMOS3 Super Junction Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим швидким діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247 (класичний трививідний силовиій корпус для поверхневого або наскрізного монтажу на радіатор, повне заводське маркування серії — OSG65R130HT3ZF)

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 650 В (до 700 В при максимальному нагріванні кристала)
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 25 А (номінал для версії корпусу TO-247)
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 138 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 240 Вт (завдяки масивному фланцю корпусу TO-247)
• Максимальна швидкість наростання напруги dv/dt: 100 В/нс

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 100 мОм
• Максимальний опір стоку Rds(on) max: 130 мОм (при Vgs = 10 В)
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 3.0...5.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~45 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 2451 пФ
• Вихідна ємність Coss: 114 пФ
• Час затримки вимкнення td(off): 65.8 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 25 А
• Типова пряма напруга діода Vsd: 1.4 В
• Тип інтегрованого діода: Вбудований швидкісний діод (FRD) для мінімізації часу зворотного відновлення при роботі в резонансних топологіях

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Енергія одиночного лавинного імпульсу Eas: 600 мДж
• Контроль надійності: 100% Avalanche Tested та 100% захист від пробою затвора від виробника

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Силовий високошвидкісний комутаційний ключ у потужному корпусі (слугує чудовою функціональною заміною для транзисторів типу KEA20N50, FQA24N50C, SPW24N60CFD та 24N60 C3).
• Сумісні пристрої: Серверні блоки живлення, сонячні та фотоелектричні інвертори, зарядні станції, джерела безперебійного живлення, зварювальні каскади.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення (SMPS), активні каскади корекції коефіцієнта потужності (PFC Boost stage), мостові резонансні топології перетворення енергії (LLC / Full-Bridge).

OSG65R130HT3Z Datasheet завантажити