Транзистор NCE80TD65BT, Оригінал! 80A/160A, 650V, TO-247

IGBT-транзистор NCE80TD65BT

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Wuxi NCE Power Semiconductor
• Технологічна база: Trench Field Stop II Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±30 В
• Постійний струм колектора Ic при 25°C: 160 А
• Постійний струм колектора Ic при 100°C: 80 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 240 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 390 Вт
• Допустимий час короткого замикання tsc: 3 мкс

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.7 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 1.9 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 5.0...6.0 В
• Повний заряд затвора Qg: 331 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 9188 пФ
• Вихідна ємність Coss: 258 пФ
• Час затримки вимкнення tdoff: 172 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.75 В
• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 80 А
• Піковий імпульсний струм діода Ifm: 240 А
• Час зворотного відновлення діода trr: 194 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.32 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 1.41 °C/Вт

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Швидкісний силовий перемикач високої потужності з позитивним температурним коефіцієнтом для полегшення паралельного з'єднання деталей.
• Сумісні пристрої: Кліматична техніка, промислові та побутові інвертори загального призначення, потужні джерела безперебійного живлення.
• Системи керування: Високочастотні перетворювачі енергії, інверторні схеми приводів електродвигунів та ШІМ-регулятори потужності.