Транзистор YGW75N65FP IGBT (заміна для YGW75N65F1, KGF75N65KDF)
650V /75A Trench Field Stop IGBT

IGBT-транзистор YGW75N65FP

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Luxinsemi
• Технологічна база: Trench Field Stop Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при 25°C: 150 А
• Постійний струм колектора Ic при 100°C: 75 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 225 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 385 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.75 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.20 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 5.0...6.5 В
• Повний заряд затвора Qg: 145 нКл
• Вхідна ємність Ciss: 3650 пФ
• Вихідна ємність Coss: 160 пФ
• Час затримки вимкнення tdoff: 105 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.80 В
• Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 75 А
• Час зворотного відновлення діода trr: 72 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.39 °C/Вт
• Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 0.65 °C/Вт

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Високопотужний швидкісний силовий комутаційний ключ, оптимізований для мінімізації втрат на провідність та динамічне перемикання.
• Сумісні пристрої: Потужні промислові та побутові зварювальні інвертори, сонячні фотоелектричні інвертори, трифазні джерела безперебійного живлення.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні схеми великої потужності, активні модулі корекції коефіцієнта потужності та інверторні приводи частотно-регульованих двигунів.

YGW75N65FP  Datasheet завантажити