Транзистор SW20N50D TO-220F MOSFET N-канал

MOSFET-транзистор SW20N50D

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Samwin Semiconductor
• Технологічна база: Power MOSFET (Planar VDMOS)
• Конфіфікація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-220 (відкритий металевий фланець для ефективного відведення тепла)

Електричні параметри (Гранично допустимі значення):

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 500 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В
• Постійний струм стоку Id при 25°C: 20 А
• Постійний струм стоку Id при 100°C: 12.6 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 80 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 250 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 0.22 Ом
• Максимальний опір стоку Rds(on) max: 0.26 Ом (при Vgs = 10 В)
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~65 нКл
• Вхідна ємність Ciss: ~2750 пФ
• Вихідна ємність Coss: ~295 пФ
• Час затримки вимкнення td(off): ~80 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vsd: 1.5 В
• Максимальний постійний прямий струм діода Is: 20 А
• Час зворотного відновлення діода trr: ~430 нс

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 0.50 °C/Вт
• Контроль надійності: 100% Avalanche Tested від виробника

Область застосування та використання:

• Основне призначення: Високовольтний комутаційний ключ середньої потужності для стабільних мережевих перетворювачів та сильнонавантажених блоків живлення.
• Сумісні пристрої: Зварювальні інвертори, стаціонарні блоки живлення ПК та серверів, промислові та побутові джерела безперебійного живлення.
• Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, активні схеми корекції коефіцієнта потужності, мостові та напівмостові ШІМ-регулятори потужності.

SW20N50D Datasheet завантажити